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浙江驰拓科技有限公司新建高端存储芯片研发及中试生产线项目 发布日期:2019/10/23 3:27:38

                                安全评价报告公开信息表

项目所属行业

计算机、通信和其它电子设备制造业

项目编号

杭安科【评】字第

号2017193-2019

项目名称

浙江驰拓科技有限公司新建高端存储芯片研发及中试生产线项目

项   目   简    介

浙江驰拓科技有限公司是中电海康的全资控股子公司,于20161月注册成立。公司核心业务为高端储存器件的研发与产业化,其现阶段的产品研发和产业化重点为磁旋储存器和基于磁旋储存器的应用系统与相关技术及产品开发。

本项目位于临安市青山湖科技城研发区(崇文路以东,聚闲街以北)。该项目采用STT-MRAM技术,引进具有国际先进水平的磁性隧道结薄膜沉积系统、隧道结刻蚀和保护薄膜一体机、低温化学气相沉积系统、干法氧化层刻蚀系统、化学机械抛光机、光刻机等设备,建设高端存储芯片研发中心和中试线。

本次评价是对该公司新建高端存储芯片研发及中试生产线项目进行安全设施竣工验收评价。运用定性定量分析、安全检查表、危险度评价、事故案例分析法等进行分析,给企业提出了相应的安全对策措施。

项目组长

刘文晔

报告编制人:刘文晔

报告审核人:晏金平

技术负责人

张群杰

过程控制负责人

秦吉

项目组成员

姓    名

职    称

执 业 资 格

姚文

助理工程师

三级安全评价师

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技术专家

姓    名

职    称

专 业 年 限

张友良

 

 

于巨青

 

 

 

 

 

参加安全评价工作人员

到现场时间

参加人员姓名

主 要 任 务

201814

刘文晔、姚文

现场勘察

2018820

刘文晔、姚文

现场勘察

2019510

刘文晔、晏金平、姚文

现场勘察及核对

报告提交

时间

2019917

其他需公开的内容

注:自201211日起报告交付时必须填写此表,文件名以项目编号为文件名。表内内容将在网上公布。